公司新聞
根據(jù)霍爾效應(yīng)，人們用半導(dǎo)體材料制成的元件叫霍爾元件。它具有對磁場敏感結(jié)構(gòu)簡單、體積小、頻率響應(yīng)寬、輸出電壓變化大和使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)，因此，在測量、自動(dòng)化、計(jì)算機(jī)和信息技術(shù)等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。目前霍爾傳感器以砷化鎵、銻化銦以及砷化銦材料為主，有著廣泛的應(yīng)用，但是存在的問題是受溫度影響比較大，溫度偏移系數(shù)較大達(dá)到500ppm每度甚至更高，溫度一般只能到70度，一些需要高精度量測的時(shí)候顯得不足?，F(xiàn)在第三代半導(dǎo)體氮化鎵完美的解決了這一問題，受溫度變化小，即溫度系數(shù)小溫度漂移，變化一度是50ppm的偏移，，從0-15T的磁場能夠呈現(xiàn)很好的線性度，達(dá)到萬分之5，工作溫度可以到125度，為高精度量測應(yīng)用帶來了行業(yè)更好的解決方案。目前市場主要以coliy的High Performance Hall Sensor C1系列為主 Parameter Symbol Value Unit Operating temperature TA – 50 ~ + 125 °C Storage temperature Tstg – 50 ~ + 130 °C Supply current I1 30 mA Thermal conductivity, soldered in air GthC GthA ≥2.2 ≥1.5 mW/K mW/K Characteristics
(TA = 25 °C) PARAMETER CONDITION MIN TYP MAX UNIT Nominal supply current I1N 20 mA Open-circuit Hall voltage I1 = I1N, B = 0.1 T V20 6.7 mV Open-circuit Hall voltage Consistency (100PCS TEST) 0.2% 0.5% Ohmic offset voltage I1 = I1N, B = 0 T VR0 0.1 0.2 0.5 mV Linearity of Hall voltage B = 0.1 ? 2.0 T FL 0.03 0.05 0.1 % Input resistance B = 0 T R10 60 64 68 W Output resistance B = 0 T R20 60 64 68 W Temperature coefficient of the open-circuit Hall-voltage I1 = I1N, B = 0.5 T TCV20 0 -30 -50 ppm/K Temperature coefficient of the internal resistance B = 0 T TCR10, R20 0.08 %/K Temperature coefficient of ohmic offset voltage I1 = I1N, B = 0 T TCVR 0 0.1 %/K Noise Figure F 10 dB Range 15 T
Maximum Ratings